Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare240 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Sequential Rea
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Sequential Rea
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write R
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write Rate38000
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write Rate38000
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesori
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluse
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluse
Tehnologia pentru memorieNAND FlashFactor de Forma a memorieiMicro SDXCCapacitate de stocare64 GBCompliant DevicesNotebook PC Other Tablet PC Smartphone CameraFlash Memory Read Data Transfer Rate100 MB/sFlash Memory Write Data Transfer Rate45 MB/sSpeed Cl
Tehnologia pentru memorieNAND FlashFactor de Forma a memorieiMicro SDHCCapacitate de stocare32 GBCompliant DevicesNotebook PC Other Tablet PC Smartphone CameraFlash Memory Read Data Transfer Rate100 MB/sFlash Memory Write Data Transfer Rate20 MB/sSpeed Cl
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat